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产品参考图片

APT11GF120BRDQ1G 图片

APT11GF120BRDQ1G

制造厂商：Atmel（爱特梅尔，Microchip）
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-247-3
技术参数：IGBT 1200V 25A 156W TO247
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技术参数详情：

制造商产品型号：APT11GF120BRDQ1G
制造商：Microsemi（美高森美，已被 Microchip 微芯收购）
描述：IGBT 1200V 25A 156W TO247
系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
产品系列：-
零件状态：停产
IGBT类型：NPT
电压-集射极击穿（最大值）：1200V
电流-集电极(Ic)（最大值）：25A
电流-集电极脉冲(Icm)：24A
不同Vge、Ic时Vce(on)（最大值）：3V @ 15V，8A
功率-最大值：156W
开关能量：300J（开），285J（关）
输入类型：标准
栅极电荷：65nC
25°C时Td（开/关）值：7ns/100ns
测试条件：800V，8A，10 欧姆，15V
反向恢复时间(trr)：-
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：通孔
封装：TO-247-3
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