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APT12067B2FLLG 图片

APT12067B2FLLG

制造厂商：Atmel（爱特梅尔，Microchip）
类别封装：单端场效应管，T-MAX
技术参数：MOSFET N-CH 1200V 18A T-MAX
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技术参数详情：

Microsemi美高森美完整型号：APT12067B2FLLG
制造商：Microsemi（美高森美，已被 Microchip 微芯收购）
描述：MOSFET N-CH 1200V 18A T-MAX
系列：POWER MOS 7
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：1200V（1.2kV）
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：18A（Tc）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：670 毫欧 @ 9A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 2.5mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：150nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：4420pF @ 25V
功率 - 最大值：565W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247-3 变式
供应商器件封装：T-MAX [B2]
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