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APT29F100B2 图片

APT29F100B2

制造厂商：Atmel（爱特梅尔，Microchip）
类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:T-MAX [B2]
技术参数：MOSFET N-CH 1000V 30A T-MAX
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技术参数详情：

型号:APT29F100B2
品牌:Microchip Technology (Microchip,微芯科技)
封装:T-MAX [B2]
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 1000V 30A T-MAX
包装:管件
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:1000 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:440 毫欧 @ 16A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 2.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:260 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:8500 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:1040W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:T-MAX [B2]
封装/外壳:TO-247-3 变式
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