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产品参考图片

APT30GS60BRDQ2G 图片

APT30GS60BRDQ2G

制造厂商：Atmel（爱特梅尔，Microchip）
类别封装：单路IGBT，TO-247
技术参数：IGBT 600V 54A 250W SOT227
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技术参数详情：

Microsemi美高森美完整型号：APT30GS60BRDQ2G
制造商：Microsemi（美高森美，已被 Microchip 微芯收购）
描述：IGBT 600V 54A 250W SOT227
系列：Thunderbolt IGBT
IGBT 类型：NPT
电压 - 集射极击穿（最大值）：600V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：54A
Current - Collector Pulsed (Icm)：113A
不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：3.15V @ 15V，30A
功率 - 最大值：250W
Switching Energy：570J （关）
输入类型：标准
Gate Charge：145nC
25°C 时 Td（开/关）值：16ns/360ns
Test Condition：400V, 30A, 9.1 欧姆, 15V
反向恢复时间 (trr)：25ns
封装/外壳：TO-247-3
安装类型：通孔
供应商器件封装：TO-247 [B]
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