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产品参考图片

APT40GP60SG 图片

APT40GP60SG

制造厂商：Atmel（爱特梅尔，Microchip）
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-268-3，DPak（2 引线 + 接片），TO-268AA
技术参数：IGBT 600V 100A 543W D3PAK
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技术参数详情：

制造商产品型号：APT40GP60SG
制造商：Microsemi（美高森美，已被 Microchip 微芯收购）
描述：IGBT 600V 100A 543W D3PAK
系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
产品系列：POWER MOS 7
零件状态：有源
IGBT类型：PT
电压-集射极击穿（最大值）：600V
电流-集电极(Ic)（最大值）：100A
电流-集电极脉冲(Icm)：160A
不同Vge、Ic时Vce(on)（最大值）：2.7V @ 15V，40A
功率-最大值：543W
开关能量：385J（开），352J（关）
输入类型：标准
栅极电荷：135nC
25°C时Td（开/关）值：20ns/64ns
测试条件：400V，40A，5 欧姆，15V
反向恢复时间(trr)：-
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
封装：TO-268-3，DPak（2 引线 + 接片），TO-268AA
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