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产品参考图片

APT45GP120B2DQ2G 图片

APT45GP120B2DQ2G

制造厂商：Atmel（爱特梅尔，Microchip）
类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT，封装:-
技术参数：IGBT PT 1200V 113A
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技术参数详情：

型号:APT45GP120B2DQ2G
品牌:Microchip Technology (Microchip,微芯科技)
封装:-
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
描述:IGBT PT 1200V 113A
包装:管件
产品状态:在售
IGBT 类型:PT
电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:113 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):170 A
不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:3.9V @ 15V，45A
功率 - 最大值:625 W
开关能量:900J（导通），905J（关断）
输入类型:标准
栅极电荷:185 nC
25°C 时 Td（开/关）值:18ns/100ns
测试条件:600V，45A，5 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr):-
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-247-3 变式
供应商器件封装:-
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