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产品参考图片

APT75GN60B2DQ3G 图片

APT75GN60B2DQ3G

制造厂商：Atmel（爱特梅尔，Microchip）
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-264-3，TO-264AA
技术参数：IGBT 600V 155A 536W TO264
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技术参数详情：

制造商产品型号：APT75GN60B2DQ3G
制造商：Microsemi（美高森美，已被 Microchip 微芯收购）
描述：IGBT 600V 155A 536W TO264
系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
产品系列：-
零件状态：停产
IGBT类型：-
电压-集射极击穿（最大值）：600V
电流-集电极(Ic)（最大值）：155A
电流-集电极脉冲(Icm)：225A
不同Vge、Ic时Vce(on)（最大值）：1.85V @ 15V，75A
功率-最大值：536W
开关能量：2500J（开），2140J（关）
输入类型：标准
栅极电荷：485nC
25°C时Td（开/关）值：47ns/385ns
测试条件：400V，75A，1 欧姆，15V
反向恢复时间(trr)：-
工作温度：-
安装类型：通孔
封装：TO-264-3，TO-264AA
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