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产品参考图片

APT80SM120J 图片

APT80SM120J

制造厂商：Atmel（爱特梅尔，Microchip）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：SOT-227
技术参数：SICFET N-CH 1200V 51A SOT227
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技术参数详情：

制造商产品型号：APT80SM120J
制造商：Microsemi（美高森美，已被 Microchip 微芯收购）
描述：SICFET N-CH 1200V 51A SOT227
系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
产品系列：-
零件状态：停产
FET类型：N 通道
技术：SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）：1200V
25°C时电流-连续漏极(Id)：51A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：20V
不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：55 毫欧 @ 40A，20V
不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：235nC @ 20V
Vgs（最大值）：+25V，-10V
不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-
FET功能：-
功率耗散（最大值）：273W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：底座安装
器件封装：SOT-227
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