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产品参考图片

APTC60AM45BC1G 图片

APTC60AM45BC1G

制造厂商：Atmel（爱特梅尔，Microchip）
类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列，封装:SP1
技术参数：MOSFET 3N-CH 600V 49A SP1
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技术参数详情：

型号:APTC60AM45BC1G
品牌:Microchip Technology (Microchip,微芯科技)
封装:SP1
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
描述:MOSFET 3N-CH 600V 49A SP1
包装:散装
产品状态:在售
技术:MOSFET（金属氧化物）
配置:3 N 沟道（相角 + 升压斩波电路）
FET 功能:-
漏源电压（Vdss）:600V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):49A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:45 毫欧 @ 24.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.9V @ 3mA
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:150nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7200pF @ 25V
功率 - 最大值:250W
工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:底座安装
封装/外壳:SP1
供应商器件封装:SP1
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