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产品参考图片

APTC80DA15T1G 图片

APTC80DA15T1G

制造厂商：Atmel（爱特梅尔，Microchip）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：SP1
技术参数：MOSFET N-CH 800V 28A SP1
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技术参数详情：

制造商产品型号：APTC80DA15T1G
制造商：Microsemi（美高森美，已被 Microchip 微芯收购）
描述：MOSFET N-CH 800V 28A SP1
系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
产品系列：-
零件状态：停产
FET类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：800V
25°C时电流-连续漏极(Id)：28A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：150 毫欧 @ 14A，10V
不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.9V @ 2mA
不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：180nC @ 10V
Vgs（最大值）：±30V
不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：4507pF @ 25V
FET功能：-
功率耗散（最大值）：277W（Tc）
工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：底座安装
器件封装：SP1
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