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产品参考图片

APTC90H12T1G 图片

APTC90H12T1G

制造厂商：Atmel（爱特梅尔，Microchip）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：SP1
技术参数：MOSFET 4N-CH 900V 30A SP1
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技术参数详情：

制造商产品型号：APTC90H12T1G
制造商：Microsemi（美高森美，已被 Microchip 微芯收购）
描述：MOSFET 4N-CH 900V 30A SP1
系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
产品系列：CoolMOS
零件状态：停产
FET类型：4 个 N 通道（H 桥）
FET功能：超级结
漏源电压（Vdss）：900V
25°C时电流-连续漏极(Id)：30A
不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：120 毫欧 @ 26A，10V
不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 3mA
不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：270nC @ 10V
不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：6800pF @ 100V
功率-最大值：250W
工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：底座安装
封装：SP1
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