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产品参考图片

APTCV90TL12T3G 图片

APTCV90TL12T3G

制造厂商：Atmel（爱特梅尔，Microchip）
类别封装：晶体管 - IGBT - 模块，封装：SP3
技术参数：IGBT MODULE 1200V 80A 280W SP3
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技术参数详情：

制造商产品型号：APTCV90TL12T3G
制造商：Microsemi（美高森美，已被 Microchip 微芯收购）
描述：IGBT MODULE 1200V 80A 280W SP3
系列：晶体管 - IGBT - 模块
零件状态：停产
IGBT类型：沟槽型场截止
配置：三级反相器 - IGBT，FET
电压-集射极击穿（最大值）：1200V
电流-集电极(Ic)（最大值）：80A
功率-最大值：280W
不同Vge、Ic时Vce(on)（最大值）：2.2V @ 15V，50A
电流-集电极截止（最大值）：1mA
不同Vce时输入电容(Cies)：2.77nF @ 25V
输入：标准
NTC热敏电阻：是
工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：底座安装
封装：SP3
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