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产品参考图片

APTGF30H60T1G 图片

APTGF30H60T1G

制造厂商：Atmel（爱特梅尔，Microchip）
类别封装：IGBT模块，SP1
技术参数：IGBT MODULE NPT FULL BRIDGE SP1
（专注销售Atmel | Microchip电子元器件，承诺原装！现货当天发货！）
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技术参数详情：

Microsemi美高森美完整型号：APTGF30H60T1G
制造商：Microsemi（美高森美，已被 Microchip 微芯收购）
描述：IGBT MODULE NPT FULL BRIDGE SP1
系列：-
IGBT 类型：NPT
配置：全桥反相器
电压 - 集射极击穿（最大值）：600V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：42A
功率 - 最大值：140W
不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：2.45V @ 15V，30A
电流 - 集电极截止（最大值）：250A
不同 Vce 时的输入电容 (Cies)：1.35nF @ 25V
输入：标准
NTC 热敏电阻：是
安装类型：底座安装
封装/外壳：SP1
供应商器件封装：SP1
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