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产品参考图片

APTGT35A120T1G 图片

APTGT35A120T1G

制造厂商：Atmel（爱特梅尔，Microchip）
类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > IGBT 模块，封装:SP1
技术参数：IGBT MODULE 1200V 55A 208W SP1
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技术参数详情：

型号:APTGT35A120T1G
品牌:Microchip Technology (Microchip,微芯科技)
封装:SP1
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > IGBT 模块
描述:IGBT MODULE 1200V 55A 208W SP1
系列:-
包装:散装
产品状态:在售
IGBT 类型:沟槽型场截止
配置:半桥
电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:55 A
功率 - 最大值:208 W
不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，35A
电流 - 集电极截止（最大值）:250 A
不同Vce 时输入电容 (Cies):2.5 nF @ 25 V
输入:标准
NTC 热敏电阻:是
工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型:底座安装
封装/外壳:SP1
供应商器件封装:SP1
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