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产品参考图片

APTM100DA18CT1G 图片

APTM100DA18CT1G

制造厂商：Atmel（爱特梅尔，Microchip）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：SP1
技术参数：MOSFET N-CH 1000V 40A SP1
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技术参数详情：

制造商产品型号：APTM100DA18CT1G
制造商：Microsemi（美高森美，已被 Microchip 微芯收购）
描述：MOSFET N-CH 1000V 40A SP1
系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
产品系列：POWER MOS 8
零件状态：停产
FET类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：1000V
25°C时电流-连续漏极(Id)：40A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：216 毫欧 @ 33A，10V
不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 2.5mA
不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：570nC @ 10V
Vgs（最大值）：±30V
不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：14800pF @ 25V
FET功能：-
功率耗散（最大值）：657W（Tc）
工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：底座安装
器件封装：SP1
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