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产品参考图片

APTM100DDA35T3G 图片

APTM100DDA35T3G

制造厂商：Atmel（爱特梅尔，Microchip）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：SP3
技术参数：MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3
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技术参数详情：

制造商产品型号：APTM100DDA35T3G
制造商：Microsemi（美高森美，已被 Microchip 微芯收购）
描述：MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3
系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
产品系列：-
零件状态：停产
FET类型：2 N-通道（双）
FET功能：标准
漏源电压（Vdss）：1000V（1kV）
25°C时电流-连续漏极(Id)：22A
不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：420 毫欧 @ 11A，10V
不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 2.5mA
不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：186nC @ 10V
不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：5200pF @ 25V
功率-最大值：390W
工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：底座安装
封装：SP3
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