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产品参考图片

APTM20DHM08G 图片

APTM20DHM08G

制造厂商：Atmel（爱特梅尔，Microchip）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：SP6
技术参数：MOSFET 2N-CH 200V 208A SP6
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技术参数详情：

制造商产品型号：APTM20DHM08G
制造商：Microsemi（美高森美，已被 Microchip 微芯收购）
描述：MOSFET 2N-CH 200V 208A SP6
系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
产品系列：-
零件状态：停产
FET类型：2 N 沟道（双）非对称型
FET功能：标准
漏源电压（Vdss）：200V
25°C时电流-连续漏极(Id)：208A
不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：10 毫欧 @ 104A，10V
不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 5mA
不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：280nC @ 10V
不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：14400pF @ 25V
功率-最大值：781W
工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：底座安装
封装：SP6
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