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产品参考图片

MSCSM120HRM08NG 图片

MSCSM120HRM08NG

制造厂商：Atmel（爱特梅尔，Microchip）
类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列，封装:-
技术参数：MOSFET 4N-CH 1200V/700V 317A
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技术参数详情：

型号:MSCSM120HRM08NG
品牌:Microchip Technology (Microchip,微芯科技)
封装:-
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
描述:MOSFET 4N-CH 1200V/700V 317A
系列:-
包装:管件
产品状态:在售
技术:碳化硅（SiC）
配置:4 个 N 通道（三级反相器）
FET 功能:-
漏源电压（Vdss）:1200V（1.2kV），700V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):317A（Tc），227A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.8 毫欧 @ 160A，20V，9.5 毫欧 @ 80A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.8V @ 12mA，2.4V @ 8mA
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:928nC @ 20V，430nC @ 20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:12100pF @ 1000V，9000pF @ 700V
功率 - 最大值:1253W（Tc），613W（Tc）
工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:-
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